晶體晶格畸變非接觸式檢測(cè)設(shè)備CS-1的特點(diǎn)

發(fā)布日期：2024-05-21      瀏覽次數(shù)：440

晶體晶格畸變非接觸式檢測(cè)設(shè)備CS-1的特點(diǎn)

"Crystalline Tester CS1"是非破壞性、非接觸式檢測(cè)可見光（波長400～800nm）透明性晶體材料中由于殘留的缺陷、應(yīng)力引起的晶格畸變后分布情況的便捷式檢測(cè)設(shè)備。通過本設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確地把握目檢下無法看到的晶體晶格畸變的狀態(tài)。






產(chǎn)品特征

產(chǎn)品特長	高速測(cè)量（6" 襯底　90秒） ?可以最快速度簡捷方式觀察殘留應(yīng)力分布。 縱向結(jié)晶評(píng)價(jià) ?因?yàn)槭峭敢曅徒Y(jié)晶評(píng)價(jià)裝置，所以不只可以觀察襯底表面，還可以觀察包括Z軸方向的晶圓所有部位。 可取得與X-Ray Topography imaging comparison同等測(cè)試效果 ?可以取得同等測(cè)試效果，實(shí)現(xiàn)高速低成本。 價(jià)格競(jìng)爭力 ?在晶片測(cè)量裝置中，屬于性價(jià)比好的一款系統(tǒng)。
可測(cè)量材料	SiC單晶襯底、及SiC外延襯底 GaN單晶襯底、及GaN外延襯底 AlN單晶襯底、及AlN外延襯底 可視光可透視、有雙折射效果的結(jié)晶均可。
測(cè)試效果不佳材料	?無可視光透視性材料：Si、GaAs等 ?無雙折射效果材料：藍(lán)寶石、Ga2O3 等